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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2318CX RFG
TSM2318CX RFG Image
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TSM2318CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2318CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2318CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2318.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59150

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Anzahl

Spezifikation

TSM2318CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2318CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2318CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM2318  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2318CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2318CX RFG TSM2323CX RFG TSM2328CX RFG TSM2314CX RFG
Artikelnummer TSM2318CX RFG TSM2323CX RFG TSM2328CX RFG TSM2314CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Ta) 4.7A (Ta) 1.5A (Ta) 4.9A (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 20 V 100 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 12.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±12V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer TSM2318 TSM2323 TSM2328 TSM2314
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V 39mOhm @ 4.7A, 4.5V 250mOhm @ 1.5A, 10V 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.38W (Ta) 1.25W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 20 V 1020 pF @ 10 V 975 pF @ 25 V 900 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -

TSM2318CX RFG Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM2318.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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